MARC状态：订购 文献类型：中文图书 浏览次数：4
- 题名/责任者:
- 集成电路器件抗辐射加固设计技术/闫爱斌[等]著
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2023.03
- ISBN及定价:
- 978-7-03-074714-3/CNY129.00
- 载体形态项:
- 214页:图;24cm
- 中图法分类号:
- TN4
- 提要文摘附注:
- 本书从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，详细介绍了抗辐射加固设计(RHBD)技术以及在该技术中常用的相关组件，重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器(SRAM)单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。
- 使用对象附注:
- 器件抗辐射加固设计技术人员
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