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题名/责任者:

模拟/混合信号集成电路抗辐照技术与实践/黄晓宗 ... 等编著

出版发行项:

哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2023.7

ISBN及定价:

978-7-5767-0545-4 精装/CNY108.00

载体形态项:

289页:图 (部分彩图);25cm

并列正题名:

Radiation-hardening techniques and practices for analog/mixed-signal integrated circuits

丛编项:

材料与器件辐射效应及加固技术研究著作

个人责任者:

黄晓宗 编著

个人责任者:

李儒章 编著

个人责任者:

付东兵 编著

学科主题:

模拟集成电路-抗辐射性-研究

学科主题:

混合集成电路-抗辐射性-研究

中图法分类号:

TN431.1

中图法分类号:

TN45

一般附注:

国家出版基金项目 国家出版基金资助项目

题名责任附注:

题名页题: 黄晓宗, 李儒章, 付东兵, 吴雪等编著

书目附注:

有书目和索引

提要文摘附注:

本书系统地介绍了辐射对电子系统的损伤机理、加固技术和实践、辐射测试技术等研究内容, 并阐述了抗辐射加固技术的发展趋势。第1章和第2章介绍了辐射环境与基本辐射效应、半导体器件的辐射效应损伤机理, 并介绍了SiGe HBT BiCMOS工艺的辐射特性; 第3-5章介绍了从工艺、版图和电路等方面进行抗辐射加固的技术; 第6章针对模拟/混合信号集成电路加固技术的案例进行了研究; 第7章和第8章介绍了模拟/混合信号集成电路辐射测试技术和抗辐射加固发展趋势。

使用对象附注:

本书适合研究辐射效应与抗辐射加固技术的相关专业本科生和研究生使用, 也可供相关工程技术人员和科研人员学习、参考

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