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题名/责任者:

短沟道MOSFET的高频噪声机理分析与表征/王军著

出版发行项:

北京:科学出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-03-066300-9/CNY88.00

载体形态项:

149页;24cm

并列正题名:

Analysis and characterization of high frequency noise mechanism of short channel MOSFET

个人责任者:

王军 (电子工程) 著

学科主题:

微电子技术-电子器件-高频-噪声-研究

中图法分类号:

TN4

相关题名附注:

封面英文题名：Analysis and characterization of high frequency noise mechanism of short channel MOSFET

提要文摘附注:

本书以不同研究阶段采用的不同方法为脉络，从新型器件研发初始阶段的仿真模拟，递进到基于物理的理论数学模型推导和基于样片测量的实验研究与半经验模型表征，揭示了短沟道器件与长沟道器件高频热噪声机理完全不同的偏置不守恒特性和频率依赖性。最后，介绍了人工智能技术在器件噪声建模中的应用。

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