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- 题名/责任者:
- 射频高阻硅基氮化镓异质结外延器件仿真设计及制备技术/关赫著
- 出版发行项:
- 西安:西北工业大学出版社,2024
- ISBN及定价:
- 978-7-5612-9218-1/CNY79.00
- 载体形态项:
- 214页:图;24cm
- 个人责任者:
- 关赫 著
- 学科主题:
- 射频-硅基材料-氮化镓-电子器件
- 中图法分类号:
- TN4
- 一般附注:
- 学术研究专著
- 提要文摘附注:
- 本书以行业内高阻硅(HRSi)基氮化镓外延和材料的研究成果为基础，以仿真设计为切入点，结合制备工艺，开展了基于高阻Si(lll)衬底的氮化镓(GaN)异质结外延器件的技术研究。
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