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题名/责任者:

纳米级系统芯片单粒子效应研究/贺朝会 ... [等] 著

出版发行项:

北京:科学出版社,2021.5

ISBN及定价:

978-7-03-067328-2/CNY98.00

载体形态项:

191页:图;24cm

个人责任者:

贺朝会 著

个人责任者:

杜雪成 著

个人责任者:

杨卫涛 著

学科主题:

集成芯片-单粒子态-研究

中图法分类号:

TN430.3

题名责任附注:

题名页题: 贺朝会, 杜雪成, 杨卫涛, 杜小智著

书目附注:

有书目 (第181-191页)

提要文摘附注:

本书主要介绍28nm系统芯片 (SoC) 的单粒子效应, 内容包括SoC单粒子效应研究现状与测试系统的研制, SoC的α粒子、重离子、质子和中子单粒子效应实验研究, SoC单粒子效应软件故障注入、模拟故障注入、软错误故障分析、故障诊断和SoC抗单粒子效应软件加固方法研究; 提出XilinxZynq-7000SoC单粒子效应错误类型和单粒子效应规律; 计算不同模块的单粒子效应截面和软错误率; 揭示SoC的单粒子效应敏感模块和敏感区域分布特征; 定量分析SoC系统、子系统和不同模块的故障频率、不可用度和平均故障间隔时间; 提出几种SoC单粒子效应加固方法, 并进行实验验证。

使用对象附注:

本书可作为辐射物理、抗辐射加固、空间电子学、电子元器件、微电子学、核技术等方向科研人员的参考书, 也可供辐射效应研究、SoC应用、宇航电子系统设计等领域工程技术人员参考

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