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题名/责任者:

宽禁带功率半导体器件可靠性/孙伟锋[等]著

出版发行项:

南京:东南大学出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-5766-0153-4/CNY58.00

载体形态项:

208页:图;26cm

个人责任者:

孙伟锋 著

学科主题:

禁带-半导体器件-可靠性-研究

中图法分类号:

TN303

一般附注:

江苏省“十四五”时期重点出版物出版专项规划项目

题名责任附注:

著者还有：刘斯扬、魏家行、李胜、张龙

提要文摘附注:

本书详细介绍了碳化硅、氮化镓功率器件在各类雪崩、短路、高温偏置等恶劣电热应力下的损伤机理，并讲述了相关表征方法及寿命模型，同时讨论了高可靠宽禁带器件新结构，对宽禁带功率器件相关技术人员及学者具有较强的指导意义。

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