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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:18

题名/责任者:
碳化硅技术基本原理:生长、表征、器件和应用/(日) 木本恒畅, (美) 詹姆士·A. 库珀著 夏经华 ... [等] 译
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2018
ISBN及定价:
978-7-111-58680-7/CNY150.00
载体形态项:
xiii, 500页:图;24cm
统一题名:
Fundamentals of silicon carbide technology : growth, characterization, devices, and applications
其它题名:
生长、表征、器件和应用
丛编项:
新型电力电子器件丛书
个人责任者:
木本恒畅
个人责任者:
库珀 (Cooper, James A.)
个人次要责任者:
夏经华
个人次要责任者:
潘艳
学科主题:
碳化硅陶瓷
中图法分类号:
TQ174.75
题名责任附注:
题名页题: 夏经华, 潘艳, 杨霏, 张安平, 邓小川等译
责任者附注:
木本恒畅, 日本京都大学电子科学与工程系的教授。詹姆士·A. 库珀, 普渡大学电气与计算机工程学院的教授。
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍, 其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷, 器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念, 单/双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件, 以及碳化硅器件的系统应用, 涵盖了基本概念和新发展现状, 并针对每个主题做深入的阐释, 包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。
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TQ174.75/32 00754932   书库 (图书定位请点击这里)    可借 书库
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