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题名/责任者:
高温SiC MEMS传感器的热电特性/(澳) 丁东安, 阮南中, 陶宗越著 王兴华 ... [等] 译
出版发行项:
北京:科学出版社,2022.6
ISBN及定价:
978-7-03-072489-2/CNY88.00
载体形态项:
x, 133页:图 (部分彩图);24cm
统一题名:
Thermoelectrical effect in SIC for high-temperature MEMS sensors
个人责任者:
丁东安 (Dinh, Toan)
个人责任者:
阮南中 (Nguyen, Nam-Trung)
个人责任者:
陶宗越 (Dao, Dzung Viet)
个人次要责任者:
王兴华
个人次要责任者:
刘文宝
学科主题:
碳化硅热敏电阻器-研究
学科主题:
微机电系统-传感器-热电效应-研究
中图法分类号:
TM54
中图法分类号:
TH-39
题名责任附注:
题名页题: 王兴华, 刘文宝, 刘红卫, 李兴冀译
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书主要介绍了碳化硅 (SiC) 传感器在高温下热电特性的研究进展。本书可分为三部分, 共七章。第一部分从单层SiC和多层SiC的热阻效应、热电效应、热电子效应和热电容效应等物理效应方面来介绍SiC的热电特性; 第二部分介绍了SiC的诸多重要特征以及SiC MEMS的制造流程, 总结了SiC传感器、热流传感器和对流惯性传感器的最新进展; 第三部分论述了SiC热电传感器的应用前景。
使用对象附注:
本书可作为高等院校微电子技术专业本科生及相关专业研究生的参考书, 也可作为相关领域工程技术人员的参考资料
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