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题名/责任者:
氮化镓电子器件热管理/(美)马尔科·J. 塔德尔(Marko J. Tadjer),(美)特拉维斯·J. 安德森(Travis J. Anderson)主编 来萍[等]译
出版发行项:
北京:机械工业出版社,2025
ISBN及定价:
978-7-111-76455-7/CNY168.00
载体形态项:
14,415页:图,彩照;24cm
并列正题名:
Thermal management of gallium nitride electronics
丛编项:
先进半导体产业关键技术丛书
个人责任者:
(美) 塔德尔 (Tadjer, Marko J.) 主编
个人责任者:
(美) 安德森 (Anderson, Travis J.) 主编
个人次要责任者:
来萍
学科主题:
氮化镓-电力半导体器件-传热学
中图法分类号:
TN303
题名责任附注:
译者还有:陈义强、王宏跃、何小琦、贺致远、杨晓锋等14人
版本附注:
ELSEVIER LTD.授权出版
提要文摘附注:
本书概述了业界前沿研究者所采取的技术方法,以及他们所面临的挑战和在该领域所取得的进展。具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓(GaN)及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量等。
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