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- 题名/责任者:
- 多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用/贺朝会[等]著
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2023.09
- ISBN及定价:
- 978-7-03-076469-0/CNY150.00
- 载体形态项:
- 198页:图;24cm
- 丛编项:
- 辐射环境模拟与效应丛书
- 个人责任者:
- 贺朝会 著
- 学科主题:
- 半导体材料-损伤-研究
- 中图法分类号:
- TN304
- 题名责任附注:
- 著者还有:唐杜、臧航、邓亦凡、田赏
- 提要文摘附注:
- 本书介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法,包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等,模拟尺寸从原子尺度的10-10m到百纳米,时间从亚皮秒量级到106s,并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用,揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律,在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。
- 使用对象附注:
- 本书适用于辐射物理、核技术、微电子学、空间电子学、电子元器件等领域科研人员;辐射效应研究、半导体材料应用、宇航电子系统设计等领域的工程技术人员
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