MARC状态：订购 文献类型：中文图书 浏览次数：8
- 题名/责任者:
- 负电容场效应晶体管特性及其解析模型研究/蒋春生著
- 出版发行项:
- 北京:清华大学出版社,2020.08
- ISBN及定价:
- 978-7-302-55663-3 精装/CNY89.00
- 载体形态项:
- 22, 149页, [11] 页图版;25cm
- 丛编项:
- 清华大学优秀博士学位论文丛书
- 个人责任者:
- 蒋春生 著
- 学科主题:
- 场效应晶体管-研究
- 中图法分类号:
- TN386
- 提要文摘附注:
- 本书采用数值仿真、解析建模和实验制备的手段对集成电路亚10nm阶段新型低功耗半导体器件—负电容场效应晶体管(NC—FETs)的工作原理和设计优化进行了研究和探索。在负电容场效应晶体管的解析模型及其特性优化、新型负电容场效应晶体管器件结构的提出、以及基于二维材料的负电容场效应晶体管的制备等方面，本书做出了一系列原创性的研究工作。
- 使用对象附注:
- 本书适合从事新型半导体器件设计的技术人员参考
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