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Online Public Access Catalogue

题名/责任者:

晶圆级应变SOI技术/戴显英，苗东铭，荆熠博著

出版发行项:

西安:西安电子科技大学出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-5606-7406-3/CNY37.00

载体形态项:

150页:图;26cm

并列正题名:

Wafer level strain SOI technology

个人责任者:

戴显英 (1961-) 著

个人责任者:

苗东铭 著

个人责任者:

荆熠博 著

学科主题:

集成电路工艺

中图法分类号:

TN405

一般附注:

国家自然科学基金项目资助

相关题名附注:

封面英文题名：Wafer level strain SOI technology

责任者附注:

戴显英，工学博士、教授、博士生导师，西安电子科技大学集成电路学部微电子学院教学指导委员会委员、微电子科学与工程专业负责人与专业课程思政首席教授、工程概论首席教授、集成电路制造工艺课程组负责人。

提要文摘附注:

本书共分7章，主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。

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