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题名/责任者:

宽禁带半导体电子材料与器件/沈波, 唐宁编著

出版发行项:

北京:科学出版社,2021.1

ISBN及定价:

978-7-03-067440-1/CNY150.00

载体形态项:

xi, 316页:图;24cm

并列正题名:

Electronic materials and devices of wide band gap semiconductors

丛编项:

先进功能材料丛书

个人责任者:

沈波 编著

个人责任者:

唐宁 编著

学科主题:

禁带-半导体材料

学科主题:

禁带-半导体器件

中图法分类号:

TN304.2

相关题名附注:

英文并列题名取自封面

责任者附注:

沈波, 江苏扬州人, 长江学者、杰青、基金委创新群体带头人、973计划项目首席科学家、863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、“战略性先进电子材料”重点研发计划总体专家组成员。唐宁, 北京大学长聘副教授, 博雅青年学者。2002年在南京大学获学士学位, 2007年在北京大学获博士学位。主要从事宽禁带半导体材料物理和器件研究, 迄今发表学术论文100多篇。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书系统介绍了II族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O, 四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件, 从晶体结构、能带结构、衬底材料外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。

使用对象附注:

本书可供从事半导体材料领域研究和生产的科技工作者、企业工程师、研究生和高年级大学生阅读参考

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