广东职业技术学院图书馆书目检索系统

Online Public Access Catalogue

题名/责任者:

半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法/李兴冀等编著

出版发行项:

哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2023.07

ISBN及定价:

978-7-5767-0544-7 精装/CNY128.00

载体形态项:

401页:图;24cm

并列正题名:

Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices

个人责任者:

李兴冀 编著

学科主题:

半导体材料-研究

学科主题:

半导体器件-研究

中图法分类号:

TN304

一般附注:

材料与器件辐射效应及加固技术研究著作 国家出版基金项目 国家出版基金资助项目

题名责任附注:

编著者还有：杨剑群、徐晓东、应涛等

提要文摘附注:

本书共分为4章：第1章为半导体物理基础，重点介绍缺陷相关理论；第2章介绍半导体材料器件与原始缺陷；第3章在辐射物理基础上，介绍了辐射诱导缺陷形成与演化、缺陷性质等模拟仿真方法及应用；第4章介绍半导体材料与器件缺陷表征与分析的常用方法。

使用对象附注:

本书适用于从事航天技术研究的专业人员和相关应用领域的科技人员；高等院校航空宇航科学与技术、空间科学、材料物理和集成电路学科的研究生

豆瓣简介：