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题名/责任者:

三维存储芯片技术/(圣马)里诺·米歇洛尼(Rino Micheloni)著 吴华强，高滨，钱鹤译

出版发行项:

北京:清华大学出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-302-53134-0/CNY118.00

载体形态项:

15,277页:图;26cm

并列正题名:

3D flash memories

丛编项:

新视野电子电气科技丛书

个人责任者:

(圣马) 米歇洛尼 (Micheloni, Rino) 著

个人次要责任者:

吴华强 译

个人次要责任者:

高滨 译

个人次要责任者:

钱鹤 译

学科主题:

集成芯片-研究

中图法分类号:

TN43

版本附注:

由德国施普林格公司授权出版

提要文摘附注:

本书着眼于3D NAND闪存技术发展的未来，结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势，介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等，同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容。

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