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MARC状态:订购 文献类型:中文图书 浏览次数:3

题名/责任者:
CMOS芯片结构与制造技术/潘桂忠编著
出版发行项:
北京:电子工业出版社,2021.12
ISBN及定价:
978-7-121-42500-4/CNY158.00
载体形态项:
xv, 358页:图;26cm
并列正题名:
Complementary metal oxide semiconductor
丛编项:
集成电路基础与实践技术丛书
个人责任者:
潘桂忠 编著
学科主题:
CMOS电路-芯片-生产工艺
中图法分类号:
TN430.5
一般附注:
工信学术出版基金
相关题名附注:
英文并列题名取自封面
责任者附注:
潘桂忠, 1959年毕业于南京大学物理学系半导体物理专业, 高级工程师, 研究生导师, 贝岭微电子公司原技术工程部经理。
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书从CMOS芯片结构技术出发, 介绍了微米、亚微米、深亚微米及纳米CMOS制造技术, 内容包括单阱CMOS、双阱CMOS、LV/HV兼容CMOS、BiCMOS、LV/HV兼容BiCMOS, 以及LV/HV兼容BCD制造技术。书中给出了100余种典型CMOS芯片结构, 介绍了各种典型制造技术, 并描绘出50余种制程剖面结构。
使用对象附注:
本书可作为芯片设计、制造、测试及可靠性等方面工程技术人员的重要参考资料, 也可作为微电子专业高年级本科生的教学用书, 还可供信息领域其他专业的学生和相关科研人员、工程技术人员参考
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