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- 题名/责任者:
- 电子器件的电离辐射效应:从存储器到图像传感器/(意)Marta Bagatin，(意)Simone Gerardin主编 毕津顺[等]译
- 出版发行项:
- 北京:电子工业出版社,2022.09
- ISBN及定价:
- 978-7-121-44206-3/CNY119.00
- 载体形态项:
- 20,299页:图;26cm
- 丛编项:
- 国防电子信息技术丛书.集成电路辐射效应与加固技术系列
- 中图法分类号:
- TN6
- 提要文摘附注:
- 本书完整地涵盖了先进半导体的电离辐射效应，深入探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容：商用数字集成电路的辐射效应，包括微处理器、易失性存储器(SRAM和DRAM)和快闪存储器，数字电路、现场可编程门阵列(FPGA)和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案；纤维光学和成像器件(包括CMs图像传感器和电荷耦合器件CCD)的辐射效应。
- 使用对象附注:
- 电子器件辐射研究人员
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