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题名/责任者:

碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术/高远, 陈桥梁编著

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2021.7

ISBN及定价:

978-7-111-68175-5/CNY99.00

载体形态项:

xiv, 311页:图;24cm

并列正题名:

Silicon carbide power semiconductor devices:characteristics, testing and applications

其它题名:

特性、测试和应用技术

丛编项:

电力电子新技术系列图书

个人责任者:

高远 编著

个人责任者:

陈桥梁 编著

学科主题:

功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

相关题名附注:

英文并列题名取自封面

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节, 分别为功率半导体器件的基础, SiC MOSFET参数解读、测试及应用, 双脉冲测试, SiC与Si器件特性对比, 高di/dt影响与应对-关断电压尖峰, 高dv/dt影响与应对-crosstalk, 共模电流的影响与应对, 共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。

使用对象附注:

本书面向电力电子、新能源技术和功率半导体器件等领域的广大工程技术人员和科研工作者, 满足从事器件设计、封装、测试、应用专业人员的知识和技术需求

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