MARC状态：订购 文献类型：中文图书 浏览次数：3
- 题名/责任者:
- 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模:基于BSIM-CMG标准/(印) 尤盖希·辛格·楚罕 ... [等] 著 陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2020.9
- ISBN及定价:
- 978-7-111-65981-5/CNY99.00
- 载体形态项:
- 239页:图;24cm
- 其它题名:
- 基于BSIM-CMG标准
- 丛编项:
- 微电子与集成电路先进技术丛书
- 个人责任者:
- 楚罕 (Chauhan, Yogesh Singh) 著
- 个人责任者:
- 卢 (Lu, Darsen Duane) 著
- 个人责任者:
- 维努戈帕兰 (Venugopalan, Sriramkumar) 著
- 个人次要责任者:
- 陈铖颍 译
- 个人次要责任者:
- 张宏怡 译
- 个人次要责任者:
- 荆有波 译
- 学科主题:
- 集成电路-电路设计-系统建模
- 中图法分类号:
- TN402
- 题名责任附注:
- 题名页题: (印) 尤盖希·辛格·楚罕, (美) 达森·杜安·卢, (印) 史利南库马尔·维努戈帕兰, 苏拉布·坎德瓦尔, (美) 胡安·帕布鲁·杜阿尔特德等著
- 出版发行附注:
- 本版由Elsevier Inc.授权机械工业出版社在中国大陆地区 (不包括香港、澳门以及台湾地区) 出版发行
- 相关题名附注:
- 英文题名原文取自封面
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。
- 使用对象附注:
- 微电子学与固体电子学、电子信息工程等专业学生
全部MARC细节信息>>