MARC状态：订购 文献类型：中文图书 浏览次数：5
- 题名/责任者:
- 晶圆级应变SOI技术/戴显英，苗东铭，荆熠博著
- 出版发行项:
- 西安:西安电子科技大学出版社,2024
- ISBN及定价:
- 978-7-5606-7406-3/CNY37.00
- 载体形态项:
- 150页:图;26cm
- 个人责任者:
- 戴显英 (1961-) 著
- 个人责任者:
- 苗东铭 著
- 个人责任者:
- 荆熠博 著
- 学科主题:
- 集成电路工艺
- 中图法分类号:
- TN405
- 一般附注:
- 国家自然科学基金项目资助
- 相关题名附注:
- 封面英文题名：Wafer level strain SOI technology
- 责任者附注:
- 戴显英，工学博士、教授、博士生导师，西安电子科技大学集成电路学部微电子学院教学指导委员会委员、微电子科学与工程专业负责人与专业课程思政首席教授、工程概论首席教授、集成电路制造工艺课程组负责人。
- 提要文摘附注:
- 本书共分7章，主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。
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