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MARC状态:订购 文献类型:中文图书 浏览次数:4

题名/责任者:
压接型IGBT器件封装可靠性建模与测评/李辉[等]著
出版发行项:
北京:科学出版社,2023
ISBN及定价:
978-7-03-071274-5/CNY119.00
载体形态项:
177页:图,照片;24cm
丛编项:
“大功率电力电子器件及装备可靠性研究”系列
个人责任者:
李辉 (1973.10-) 著
学科主题:
绝缘栅场效应晶体管-封装工艺-可靠性试验
中图法分类号:
TN386.2
一般附注:
国家科学技术学术著作出版基金资助出版
题名责任附注:
编著者还有:姚然、向学位、赖伟、王晓、李金元
提要文摘附注:
本书系统介绍了压接型IGBT器件的发展趋势与封装可靠性研究现状,总结了压接型IGBT器件不同封装结构与失效模式,提出了压接型IGBT器件多物理场建模与性能仿真方法,建立了压接型IGBT器件封装疲劳失效物理场模型,提出了压接型IGBT器件封装可靠性计算方法,研制了压接型IGBT器件动静态、功率循环、短路冲击测试平台,构建了银烧结压接型IGBT器件封装老化失效与可靠性评估模型。
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