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• 001 0000227621

• 005 20230318180900.0

• 010 __ |a 978-7-03-068516-2 |d CNY145.00

• 100 __ |a 20210817d2021 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 硅锗低维材料可控生长 |A gui zhe di wei cai liao ke kong sheng zhang |f 马英杰 ... [等] 著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2021

• 215 __ |a 255页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 先进功能材料丛书 |A xian jin gong neng cai liao cong shu

• 304 __ |a 题名页题其余责任者: 蒋最敏, 周通, 钟振扬

• 312 __ |a 英文题名取自封面

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书首先简要介绍低维异质半导体材料及其物理性质, 概述刻蚀和分子束外延生长两种基本的低维半导体材料制备方法, 简要说明分子束外延技术设备的工作原理和低维异质结构的外延生长过程及其工艺发展。接着分别从热力学和动力学的角度详细阐述了硅锗低维结构的外延生长机理及其相关理论, 重点讨论图形衬底上的硅锗低维结构可控生长理论和硅锗低维结构的可控外延生长技术。最后, 简要介绍可控硅锗低维结构的光电特性及其器件与集成应用研究, 并展望基于可控外延生长量子点的新型器件。

• 410 _0 |1 2001 |a 先进功能材料丛书

• 510 1_ |a Controllable growth of low-dimensional SiGe materials |z eng

• 606 0_ |a 半导体材料 |A ban dao ti cai liao |x 纳米材料 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 690 __ |a TB383 |v 5

• 701 _0 |a 马英杰 |A ma ying jie |4 著

• 701 _0 |a 蒋最敏 |A jiang zui min |4 著

• 701 _0 |a 周通 |A zhou tong |4 著

• 701 _0 |a 钟振扬 |A zhong zhen yang |4 著

• 801 _0 |a CN |b 人天书店 |c 20210817

• 905 __ |a GDPTC |d TN304/7