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- 000 00697nam0 2200133 450
- 010 __ |a 978-7-03-074714-3 |d CNY129.00
- 200 1_ |a 集成电路器件抗辐射加固设计技术 |A ji cheng dian lu qi jian kang fu she jia gu she ji ji shu |b 专著 |f 闫爱斌[等]著
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023.03
- 215 __ |a 214页 |c 图 |d 24cm
- 330 __ |a 本书从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，详细介绍了抗辐射加固设计(RHBD)技术以及在该技术中常用的相关组件，重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器(SRAM)单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。