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• 200 1_ |a 半导体材料 |A ban dao ti cai liao |f 张源涛, 杨树人, 徐颖编著

• 205 __ |a 第4版

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023.3

• 215 __ |a 257页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 普通高等教育电子科学与技术特色专业系列教材 |A pu tong gao deng jiao yu dian zi ke xue yu ji shu te se zhuan ye xi lie jiao cai

• 320 __ |a 有书目 (第256-257页)

• 330 __ |a 本书共13章: 第1章为硅和锗的化学制备; 第2章为区熔提纯; 第3章为晶体生长; 第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷; 第5章为硅外延生长; 第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体; 第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长; 第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体; 第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体; 第10章为低维结构半导体材料; 第11章为氧化物半导体材料; 第12章为宽禁带半导体材料; 第13章为其他半导体材料。

• 333 __ |a 本书可作为电子科学与技术、微电子科学与工程、集成电路设计与集成系统等专业本科生的教材, 也可作为相关专业研究生和从事半导体相关研究工作的科研人员的参考书

• 410 _0 |1 2001 |a 普通高等教育电子科学与技术特色专业系列教材

• 606 0_ |a 半导体材料 |A ban dao ti cai liao |x 高等学校 |j 教材

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _0 |a 张源涛 |A zhang yuan tao |4 编著

• 701 _0 |a 杨树人 |A yang shu ren |4 编著

• 701 _0 |a 徐颖 |A xu ying |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20230408