机读格式显示(MARC)

• 000 01543nam0 2200349 450

• 001 0000386120

• 005 20260102160000.0

• 010 __ |a 978-7-111-76264-5 |d CNY99.00

• 049 __ |a O320113FHC |b UCS01012739560 |c 012739560

• 100 __ |a 20240906d2024 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体存储器件与电路 |A ban dao ti cun chu qi jian yu dian lu |b 专著 |f (美)余诗孟著 |g 高滨，唐建石，吴华强译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024

• 215 __ |a 195页 |c 图 |d 24cm

• 225 1_ |a 集成电路科学与工程丛书 |A ji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu

• 305 __ |a 由Taylor & Francis出版集团旗下CRC出版公司出版，并经其授权翻译出版

• 312 __ |a 版权页英文题名: Semiconductor memory devices and circuits

• 330 __ |a 本书对半导体存储器技术进行了全面综合的介绍，覆盖了从底层的器件及单元结构到顶层的阵列设计，且重点介绍了近些年的工艺节点缩小趋势和最前沿的技术。全书第1部分讨论了主流的半导体存储器技术，第2部分讨论了多种新型的存储器技术，这些技术都有潜力能够改变现有的存储层级，同时也介绍了存储器技术在机器学习或深度学习中的新型应用。

• 510 1_ |a Semiconductor memory devices and circuits |z eng

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |c (美) |a 余诗孟 |A yu shi meng |4 著

• 702 _0 |a 高滨 |A gao bin |4 译

• 702 _0 |a 唐建石 |A tang jian shi |4 译

• 702 _0 |a 吴华强 |A wu hua qiang |4 译

• 801 _0 |a CN |b 江苏新华 |c 20240811

• 801 _2 |a CN |b O320113FHC |c 20241009

• 801 _2 |a CN |b OLCC |c 20241115

• 905 __ |a GDPTC |d TN303/25