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• 000 01844oam2 2200349 450

• 001 0000144743

• 005 20190708161100.0

• 010 __ |a 978-7-111-59273-0 |d CNY125.00

• 049 __ |a A330000ZJL |b UCS01009026098 |c 3350397

• 100 __ |a 20180520d2018 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 集成功率器件设计及TCAD仿真 |9 ji cheng gong lv qi jian she ji ji TCAD fang zhen |b 专著 |f (加)付越[等]著 |g 杨兵译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2018

• 215 __ |a 13,321页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 微电子与集成电路先进技术丛书 |9 wei dian zi yu ji cheng dian lu xian jin ji shu cong shu

• 304 __ |a 著者还有：(加)李占明、(加)吴卫东、(加)约翰尼 K.O. 辛(Johnny K. O. Sin)

• 305 __ |a 由Taylor & Francis出版集团旗下，CRC出版公司授权出版

• 306 __ |a 本书限中国大陆发行

• 312 __ |a 封面英文题名：Integrated power devices and TCAD simulation (devices, circuits, and systems)

• 330 __ |a 本书从电力电子到功率集成电路（PIC）、智能功率技术、器件等方面给电源管理和半导体产业提供了一个完整的描述。书中不仅介绍了集成功率半导体器件，如横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）、横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）和超结LDMOSFET的内部物理现象，还对电源管理系统进行了一个简单的介绍。本书运用计算机辅助设计技术（TCAD）仿真实例讲解集成功率半导体器件的设计，代替抽象的理论处理和令人生畏的方程，并且还探讨了下一代功率器件，如氮化镓高电子迁移率功率晶体管（GaN功率HEMT）。

• 461 _0 |1 2001 |a 微电子与集成电路先进技术丛书

• 510 1_ |a Integrated power devices and TCAD simulation (devices, circuits, and systems) |z eng

• 606 0_ |a 集成电路 |9 ji cheng dian lu |x 功率半导体器件 |x 计算机辅助设计

• 690 __ |a TN303-39 |v 5

• 690 __ |a TN303 |v 4

• 701 _0 |c (加) |a 付越 |9 fu yue |4 著

• 702 _0 |a 杨兵 |9 yang bing |4 译

• 801 _0 |a CN |b GDPTC |c 20190708

• 905 __ |a GDPTC |d TN303/5