机读格式显示(MARC)

• 000 00958nam0 2200241 450

• 001 0000192746

• 005 20210630183200.0

• 010 __ |a 978-7-03-059112-8 |d CNY88.00

• 100 __ |a 20190109d2018 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a y az 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 微波器件电磁损伤规律研究 |9 wei bo qi jian dian ci sun shang gui lv yan jiu |b 专著 |f 谭志良[等]著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2018

• 215 __ |a 210页 |d 24cm

• 304 __ |a 著者还有：马立云、宋培姣、谢鹏浩、王玉明

• 330 __ |a 本书由浅入深、系统地介绍了几种常用的微波半导体器件的电磁损伤机理。为便于读者自学和参考，本书首先介绍了几种微波半导体器件基础知识和典型的电磁脉冲及其效应；然后重点通过仿真分析和实验分析介绍了几种微波半导体器件的电磁损伤机理；最后简要介绍了几种半导体器件电磁损伤模型。

• 606 0_ |a 微波半导体器件 |x 研究

• 690 __ |a TN385 |v 5

• 701 _0 |a 谭志良 |9 tan zhi liang |4 著

• 801 _0 |a CN |b GDPTC |c 20210630

• 905 __ |a GDPTC |d TN385/1