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• 000 01887nam 2200349 450

• 001 0000309751

• 005 20231201131500.0

• 010 __ |a 978-7-111-58680-7 |d CNY150.00

• 100 __ |a 20180519d2018 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 碳化硅技术基本原理 |A tan hua gui ji shu ji ben yuan li |e 生长、表征、器件和应用 |f (日) 木本恒畅, (美) 詹姆士·A. 库珀著 |d = Fundamentals of silicon carbide technology |e growth, characterization, devices, and applications |f James A. Cooper |g 夏经华 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2018

• 215 __ |a xiii, 500页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 新型电力电子器件丛书 |A xin xing dian li dian zi qi jian cong shu

• 304 __ |a 题名页题: 夏经华, 潘艳, 杨霏, 张安平, 邓小川等译

• 314 __ |a 木本恒畅, 日本京都大学电子科学与工程系的教授。詹姆士·A. 库珀, 普渡大学电气与计算机工程学院的教授。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍, 其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷, 器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念, 单/双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件, 以及碳化硅器件的系统应用, 涵盖了基本概念和新发展现状, 并针对每个主题做深入的阐释, 包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。

• 410 _0 |1 2001 |a 新型电力电子器件丛书

• 500 10 |a Fundamentals of silicon carbide technology : growth, characterization, devices, and applications |m Chinese

• 517 1_ |a 生长、表征、器件和应用 |A sheng zhang 、biao zheng 、qi jian he ying yong

• 606 0_ |a 碳化硅陶瓷 |A tan hua gui tao ci

• 690 __ |a TQ174.75 |v 5

• 701 _0 |a 木本恒畅 |A mu ben heng chang |4 著

• 701 _1 |a 库珀 |A ku po |g (Cooper, James A.) |4 著

• 702 _0 |a 夏经华 |A xia jing hua |4 译

• 702 _0 |a 潘艳 |A pan yan |4 译

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20180519

• 905 __ |a GDPTC |d TQ174.75/32