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• 000 01222oam2 2200253 450

• 001 0000386661

• 005 20250410174605.0

• 010 __ |a 978-7-03-080958-2 |b 精装 |d CNY158.00

• 100 __ |a 20250305d2025 em y0chiy0110 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 硅基氮化镓外延材料与芯片 |A gui ji dan hua jia wai yan cai liao yu xin pian |b 专著 |f 李国强著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2025

• 215 __ |a 11,263页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 半导体科学与技术丛书

• 330 __ |a 本书共8章。其中，第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义；第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发，依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段；第3~7章依次介绍了Si基GaN LED材料与芯片、Si基GaN高电子迁移率晶体管、Si基GaN肖特基二极管、Si基GaN光电探测芯片和Si基GaN光电解水芯片的工作原理、技术瓶颈、制备工艺以及芯片性能调控技术，并介绍了上述各种Si基GaN芯片的应用与发展趋势；第8章对Si基GaN集成芯片技术进行了阐述。

• 462 _0 |1 2001 |a 半导体科学与技术丛书 |1 035 |a (A100000NLC)002933667

• 606 0_ |a 硅基材料 |x 氮化镓 |x 芯片

• 690 __ |a TN304.2 |v 5

• 690 __ |a TN43 |v 5

• 701 _0 |a 李国强 |A li guo qiang |f (1979-) |4 著

• 801 _2 |a CN |b 58marc.cn |c 20250427