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• 049 __ |a H110102GMA |b UCS01012974437 |c 158570 |d NLC标准库

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• 200 1_ |a 晶圆级应变SOI技术 |9 jing yuan ji ying bian SOI ji shu |b 专著 |f 戴显英，苗东铭，荆熠博著

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2024

• 215 __ |a 150页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 国家自然科学基金项目资助

• 312 __ |a 封面英文题名：Wafer level strain SOI technology

• 314 __ |a 戴显英，工学博士、教授、博士生导师，西安电子科技大学集成电路学部微电子学院教学指导委员会委员、微电子科学与工程专业负责人与专业课程思政首席教授、工程概论首席教授、集成电路制造工艺课程组负责人。

• 330 __ |a 本书共分7章，主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。

• 510 1_ |a Wafer level strain SOI technology |z eng

• 606 0_ |a 集成电路工艺

• 690 __ |a TN405 |v 5

• 701 _0 |a 戴显英 |9 dai xian ying |f (1961-) |3 UCS10001681335 |4 著

• 701 _0 |a 苗东铭 |9 miao dong ming |4 著

• 701 _0 |a 荆熠博 |9 jing yi bo |4 著