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• 005 20230717084713.0

• 010 __ |a 978-7-03-071274-5 |d CNY119.00

• 100 __ |a 20230522d2023 em y0chiy0110 ea

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• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 压接型IGBT器件封装可靠性建模与测评 |A ya jie xing IGBT qi jian feng zhuang ke kao xing jian mo yu ce ping |b 专著 |f 李辉[等]著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 177页 |c 图，照片 |d 24cm

• 225 1_ |a “大功率电力电子器件及装备可靠性研究”系列

• 300 __ |a 国家科学技术学术著作出版基金资助出版

• 304 __ |a 编著者还有：姚然、向学位、赖伟、王晓、李金元

• 330 __ |a 本书系统介绍了压接型IGBT器件的发展趋势与封装可靠性研究现状，总结了压接型IGBT器件不同封装结构与失效模式，提出了压接型IGBT器件多物理场建模与性能仿真方法，建立了压接型IGBT器件封装疲劳失效物理场模型，提出了压接型IGBT器件封装可靠性计算方法，研制了压接型IGBT器件动静态、功率循环、短路冲击测试平台，构建了银烧结压接型IGBT器件封装老化失效与可靠性评估模型。

• 606 0_ |a 绝缘栅场效应晶体管 |x 封装工艺 |x 可靠性试验

• 690 __ |a TN386.2 |v 5

• 701 _0 |a 李辉 |A li hui |f (1973.10-) |4 著

• 801 _2 |a CN |b 58marc.cn |c 20230919