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• 005 20250310144220.0

• 010 __ |a 978-7-111-76455-7 |d CNY168.00

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• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化镓电子器件热管理 |A dan hua jia dian zi qi jian re guan li |b 专著 |d Thermal management of gallium nitride electronics |f (美)马尔科·J. 塔德尔(Marko J. Tadjer)，(美)特拉维斯·J. 安德森(Travis J. Anderson)主编 |g 来萍[等]译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2025

• 215 __ |a 14,415页 |c 图，彩照 |d 24cm

• 225 1_ |a 先进半导体产业关键技术丛书

• 304 __ |a 译者还有：陈义强、王宏跃、何小琦、贺致远、杨晓锋等14人

• 305 __ |a ELSEVIER LTD.授权出版

• 330 __ |a 本书概述了业界前沿研究者所采取的技术方法，以及他们所面临的挑战和在该领域所取得的进展。具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓(GaN)及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量等。

• 510 1_ |a Thermal management of gallium nitride electronics |z eng

• 606 0_ |a 氮化镓 |x 电力半导体器件 |x 传热学

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |c (美) |a 塔德尔 |A ta de er |c (Tadjer, Marko J.) |4 主编

• 701 _0 |c (美) |a 安德森 |A an de sen |c (Anderson, Travis J.) |4 主编

• 702 _0 |a 来萍 |A lai ping |4 译

• 801 _2 |a CN |b 58marc.cn |c 20250319