机读格式显示(MARC)

• 000 01661nam 2200337 450

• 001 0000360689

• 005 20230630134404.8

• 010 __ |a 978-7-111-70502-4 |d CNY99.00

• 100 __ |a 20220715d2022 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c jpn

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 垂直型GaN和SiC功率器件 |A chui zhi xing GaN he SiC gong lv qi jian |d = Vertical GaN and SiC power devices |f (日) 望月和浩著 |g 黄锋 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2022.7

• 215 __ |a xii, 217页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书 |A ban dao ti yu ji cheng dian lu guan jian ji shu cong shu

• 304 __ |a 题名页题: 黄锋, 段宝兴, 柏松, 万成安, 赵小宁等译

• 306 __ |a 本书由Artech House授权机械工业出版社在中国大陆地区 (不包括香港、澳门特别行政区及台湾地区) 出版与发行

• 314 __ |a 望月和浩, 1986年获得学士学位, 1988年获得硕士学位, 1995年获得日本东京大学电子工程专业博士学位。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术。内容涵盖: 垂直型和横向功率半导体器件的比较, GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺、主要器件结构与特性, 以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等。

• 333 __ |a 本书适合从事GaN和SiC功率半导体技术的科研工作者、工程师阅读, 也可作为高等院校微电子科学与工程、电力电子技术等相关专业的教材

• 410 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 510 1_ |a Vertical GaN and SiC power devices |z eng

• 606 0_ |a 功率半导体器件 |A gong lv ban dao ti qi jian

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 望月和浩 |A wang yue he hao |4 著

• 702 _0 |a 黄锋 |A huang feng |4 译

• 702 _0 |a 段宝兴 |A duan bao xing |4 译

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20220715