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• 010 __ |a 978-7-5766-0153-4 |d CNY58.00

• 049 __ |a O360102HST |b UCS01012866296 |c 012866296

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• 200 1_ |a 宽禁带功率半导体器件可靠性 |9 kuan jin dai gong lv ban dao ti qi jian ke kao xing |b 专著 |f 孙伟锋[等]著

• 210 __ |a 南京 |c 东南大学出版社 |d 2024

• 215 __ |a 208页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 江苏省“十四五”时期重点出版物出版专项规划项目

• 304 __ |a 著者还有：刘斯扬、魏家行、李胜、张龙

• 330 __ |a 本书详细介绍了碳化硅、氮化镓功率器件在各类雪崩、短路、高温偏置等恶劣电热应力下的损伤机理，并讲述了相关表征方法及寿命模型，同时讨论了高可靠宽禁带器件新结构，对宽禁带功率器件相关技术人员及学者具有较强的指导意义。

• 606 0_ |a 禁带 |9 Jin Dai |x 半导体器件 |x 可靠性 |x 研究

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 孙伟锋 |9 sun wei feng |4 著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20241030

• 801 _2 |a CN |b O360102HST |c 20241114

• 801 _2 |a CN |b OLCC |c 20241213

• 905 __ |a GDPTC |d TN303/17