机读格式显示(MARC)

• 000 01114nam0 2200289 450

• 001 0000281343

• 010 __ |a 978-7-302-55663-3 |b 精装 |d CNY89.00

• 092 __ |a CN |b 人天951-2738

• 100 __ |a 20201027d2020 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a y z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 负电容场效应晶体管特性及其解析模型研究 |f 蒋春生著

• 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2020.08

• 215 __ |a 22, 149页, [11] 页图版 |d 25cm

• 225 2_ |a 清华大学优秀博士学位论文丛书

• 330 __ |a 本书采用数值仿真、解析建模和实验制备的手段对集成电路亚10nm阶段新型低功耗半导体器件—负电容场效应晶体管(NC—FETs)的工作原理和设计优化进行了研究和探索。在负电容场效应晶体管的解析模型及其特性优化、新型负电容场效应晶体管器件结构的提出、以及基于二维材料的负电容场效应晶体管的制备等方面，本书做出了一系列原创性的研究工作。

• 333 __ |a 本书适合从事新型半导体器件设计的技术人员参考

• 606 0_ |a 场效应晶体管 |x 研究

• 690 __ |a TN386 |v 5

• 701 _0 |a 蒋春生 |4 著

• 801 _0 |a CN |b 人天书店 |c 20201104

• 901 __ |a 清华大学出版社

• 902 __ |a RT951-2471

• 962 __ |a 7057442

• 997 __ |a 可供2020-11-04