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- 000 01604nam0 0000361 45450
- 010 __ |a 978-7-5693-0992-8 |d CNY138.00
- 100 __ |a 20190612d2018 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 模拟CMOS集成电路设计 |9 mo ni CMOS ji cheng dian lu she ji |d Design of analog CMOS integrated circuits |f (美)毕查德·拉扎维(Behzad Razavi)著 |g 陈贵灿[等]译 |z eng
- 210 __ |a 西安 |c 西安交通大学出版社 |d 2018
- 215 __ |a 14,10,724页 |c 图 |d 26cm
- 306 __ |a 由麦格希(亚洲)教育出版公司和西安交通大学出版社合作出版
- 330 __ |a 本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材,介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计,着重讲解该技术的最新进展和设计实例,从MOSFET器件的基本物理特性开始,逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。
- 510 1_ |a Design of analog CMOS integrated circuits |z eng
- 606 0_ |a CMOS电路 |9 CMOS dian lu |x 电路设计
- 701 _1 |c (美) |a 拉扎维 |9 la zha wei |g (Razavi, Behzad) |4 著
- 702 _0 |a 陈贵灿 |9 chen gui can |4 译
- 702 _0 |a 程军 |9 chen gui can |4 译
- 702 _0 |a 张瑞智 |9 chen gui can |4 译
- 801 _0 |a CN |b GDPTC |c 20190831
- 905 __ |a GDPTC |d TN432.02/3=2