机读格式显示(MARC)

• 000 01557nam0 2200325 450

• 001 0000353745

• 005 20241221104000.0

• 010 __ |a 978-7-111-73426-0 |d CNY119.00

• 100 __ |a 20231010d2023 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体干法刻蚀技术 |A ban dao ti gan fa ke shi ji shu |b 专著 |e 原子层工艺 |f (美)索斯藤·莱尔(Thorsten Lill)著 |g 丁扣宝译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2023.09

• 215 __ |a 14,225页 |c 图 |d 24cm

• 225 1_ |a 集成电路科学与工程丛书 |A Ji Cheng Dian Lu Ke Xue Yu Gong Cheng Cong Shu

• 300 __ |a Wiley

• 305 __ |a Wiley授权出版

• 312 __ |a 版权页英文题名：Atomic layer processing: semiconductor dry etching technology

• 330 __ |a 本书主要内容有：热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等，探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术，涵盖了定向和各向同性ALE的最新研究和进展。本书以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例，例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3D NAND通道孔刻蚀，有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。

• 333 __ |a 本书适用于微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的研究生和高年级本科生，相关领域的工程技术人员

• 510 1_ |a Atomic layer processing |e semiconductor dry etching technology |z eng

• 517 1_ |a 原子层工艺 |A yuan zi ceng gong yi

• 606 0_ |a 半导体技术 |A Ban Dao Ti Ji Shu |x 干法刻蚀

• 690 __ |a TN305.7 |v 5

• 701 _0 |c (美) |a 莱尔 |A lai er |c (Lill, Thorsten) |4 著

• 702 _0 |a 丁扣宝 |A ding kou bao |4 译

• 801 _0 |a CN |b GDPTC |c 20241221

• 905 __ |a GDPTC |d TN305.7/3