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- 010 __ |a 978-7-121-34267-7 |d CNY59.90
- 049 __ |a A441900DGL |b UCS01009261817 |c 3489317
- 100 __ |a 20180803d2018 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 微电子器件 |9 wei dian zi qi jian |b 专著 |f 陈星弼[等]编著
- 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2018
- 215 __ |a 14,333页 |c 图 |d 26cm
- 300 __ |a “十二五”普通高等教育本科国家级规划教材 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 微电子与集成电路设计系列规划教材
- 304 __ |a 编著者还有:陈勇、刘继芝、任敏
- 330 __ |a 本书首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上,全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。本书还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。
- 606 0_ |a 微电子技术 |9 wei dian zi ji shu |x 电子器件 |x 高等教育 |j 教材
- 701 _0 |a 陈星弼 |9 chen xing bi |4 编著
- 801 _0 |a CN |b GDPTC |c 20190409
- 905 __ |a GDPTC |d TN4/31=4