机读格式显示(MARC)
- 000 00831nam0 2200145 450
- 010 __ |a 978-7-111-73066-8 |d CNY99.00
- 200 1_ |a 图解入门 |A tu jie ru men |b 专著 |e 半导体元器件精讲 |f (日)执行直之著 |g 娄煜译
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2023.06
- 215 __ |a 12,159页 |d 24cm
- 330 __ |a 本书共7章,包括半导体以及MOS晶体管的简单说明,半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、M0S晶体管、超LSI器件等。在本书最后附加了常量表,室温下(300k)的SI基本常量,从基本专利到实用化的Ms晶体管、麦克斯韦玻尔兹曼分布函数、关于电子密度N以及空穴密度P的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射极电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏极电流ID饱和的解释。