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• 005 20241220184700.0

• 010 __ |a 978-7-5767-0544-7 |b 精装 |d CNY128.00

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• 200 1_ |a 半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法 |A ban dao ti cai liao ji qi jian fu she que xian yu biao zheng fang fa |b 专著 |d Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices |f 李兴冀等编著 |z eng

• 210 __ |a 哈尔滨 |c 哈尔滨工业大学出版社 |d 2023.07

• 215 __ |a 401页 |c 图 |d 24cm

• 300 __ |a 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作 国家出版基金项目 国家出版基金资助项目

• 304 __ |a 编著者还有：杨剑群、徐晓东、应涛等

• 330 __ |a 本书共分为4章：第1章为半导体物理基础，重点介绍缺陷相关理论；第2章介绍半导体材料器件与原始缺陷；第3章在辐射物理基础上，介绍了辐射诱导缺陷形成与演化、缺陷性质等模拟仿真方法及应用；第4章介绍半导体材料与器件缺陷表征与分析的常用方法。

• 333 __ |a 本书适用于从事航天技术研究的专业人员和相关应用领域的科技人员；高等院校航空宇航科学与技术、空间科学、材料物理和集成电路学科的研究生

• 510 1_ |a Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices |z eng

• 606 0_ |a 半导体材料 |A Ban Dao Ti Cai Liao |x 研究

• 606 0_ |a 半导体器件 |A Ban Dao Ti Qi Jian |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _0 |a 李兴冀 |A li xing ji |4 编著

• 801 _0 |a CN |b GDPTC |c 20241220

• 905 __ |a GDPTC |d TN304/11