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• 010 __ |a 978-7-5612-9218-1 |d CNY79.00

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• 200 1_ |a 射频高阻硅基氮化镓异质结外延器件仿真设计及制备技术 |A she pin gao zu gui ji dan hua jia yi zhi jie wai yan qi jian fang zhen she ji ji zhi bei ji shu |b 专著 |f 关赫著

• 210 __ |a 西安 |c 西北工业大学出版社 |d 2024

• 215 __ |a 214页 |c 图 |d 24cm

• 300 __ |a 学术研究专著

• 330 __ |a 本书以行业内高阻硅(HRSi)基氮化镓外延和材料的研究成果为基础，以仿真设计为切入点，结合制备工艺，开展了基于高阻Si(lll)衬底的氮化镓(GaN)异质结外延器件的技术研究。

• 606 0_ |a 射频 |x 硅基材料 |x 氮化镓 |x 电子器件

• 690 __ |a TN4 |v 5

• 701 _0 |a 关赫 |A guan he |4 著

• 801 _2 |a CN |b 58marc.cn |c 20240929