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- 010 __ |a 978-7-121-49371-3 |d CNY58.00
- 049 __ |a O320113FHC |b UCS01013037285 |c 013037285
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- 200 1_ |a 半导体器件建模与测试实验教程 |9 ban dao ti qi jian jian mo yu ce shi shi yan jiao cheng |b 专著 |e 基于华大九天器件建模与验证平台XModel |f 杜江锋,石艳玲,朱能勇编著
- 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2025
- 215 __ |a 213页 |c 图 |d 26cm
- 225 1_ |a 集成电路系列丛书 |i 电子设计自动化
- 330 __ |a 本教程在简要介绍MOSFET场效应晶体管器件结构和工作原理的基础上,全面叙述了MOSFET基本电学特性和二阶效应;介绍了MOSFET器件模型及建模测试结构和方案设计;给出了MOSFETBSIM模型参数提取流程;介绍了半导体器件SPICE模型建模平台EmpyreanXModel,深入介绍了XModel的基本功能和界面;介绍了MOSFET器件电学特性测试平台、测试模式和测试流程;分别介绍了MOSFET器件电学特性如C-V、转移特性和输出特性的测量方法;深入介绍了MOSFET模型参数提取的实验步骤和使用流程;介绍了MOSFET射频模型参数提取方法和使用流程;并介绍了GaN器件模型参数提取方法和使用流程。
- 517 1_ |a 基于华大九天器件建模与验证平台XModel |9 ji yu hua da jiu tian qi jian jian mo yu yan zheng ping tai XModel
- 606 0_ |a 半导体器件 |x 系统建模 |x 高等学校 |j 教材
- 701 _0 |a 杜江锋 |9 du jiang feng |4 编著
- 701 _0 |a 石艳玲 |9 shi yan ling |4 编著
- 701 _0 |a 朱能勇 |9 zhu neng yong |4 编著