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- 000 01018nam0 2200145 450
- 010 __ |a 978-7-121-44206-3 |d CNY119.00
- 200 1_ |a 电子器件的电离辐射效应 |A dian zi qi jian de dian li fu she xiao ying |b 专著 |e 从存储器到图像传感器 |d Ionizing radiation effects in electronics |e from memories to imagers |f (意)Marta Bagatin，(意)Simone Gerardin主编 |g 毕津顺[等]译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2022.09
- 215 __ |a 20,299页 |c 图 |d 26cm
- 225 1_ |a 国防电子信息技术丛书 |i 集成电路辐射效应与加固技术系列
- 330 __ |a 本书完整地涵盖了先进半导体的电离辐射效应，深入探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容：商用数字集成电路的辐射效应，包括微处理器、易失性存储器(SRAM和DRAM)和快闪存储器，数字电路、现场可编程门阵列(FPGA)和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案；纤维光学和成像器件(包括CMs图像传感器和电荷耦合器件CCD)的辐射效应。