机读格式显示(MARC)

• 000 01701oam2 2200337 450

• 001 0000139133

• 005 20220717193100.0

• 010 __ |a 978-7-118-10184-3 |d CNY98.00

• 049 __ |a A330000ZJL |b UCS01007823361 |c 2830617

• 100 __ |a 20160310d2015 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体材料和器件的激光辐照效应 |9 ban dao ti cai liao he qi jian de ji guang fu zhao xiao ying |b 专著 |f 陆启生[等]编著

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2015

• 215 __ |a 13,326,12页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 现代激光技术及应用丛书 |9 xian dai ji guang ji shu ji ying yong cong shu

• 300 __ |a 国家出版基金项目 “十二五”国家重点出版规划项目

• 304 __ |a 编著者还有：江天、江厚满、许中杰、赵国民、程湘爱

• 312 __ |a 封面英文题名：Laser radiation effects on semiconductor materials and devices

• 330 __ |a 本书共分七章，介绍了半导体材料的基本特性，激光在半导体材料中的激发状态、耦合形成、光谱特性和传输特性等，激光在半导体材料中各种吸收的类型和机理，以及吸收的能量在材料中的弛豫和转换的机理及规律，激光辐照下流子在半导体材料中的输运，单元光电探测器的基本特性和激光辐照效应。讨论了阵列光电探测器对于激光的光学和电学响应及损伤机理。最后着重讨论了半导体材料对于激光辐照的热学和力学的响应及损伤机理等问题。

• 461 _0 |1 2001 |a 现代激光技术及应用丛书

• 510 1_ |a Laser radiation effects on semiconductor materials and devices |z eng

• 606 0_ |a 半导体材料 |9 ban dao ti cai liao |x 激光辐照 |x 光电效应 |x 研究

• 606 0_ |a 半导体器件 |9 ban dao ti qi jian |x 激光辐照 |x 光电效应 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 陆启生 |9 lu qi sheng |f (1942-) |4 编著

• 801 _0 |a CN |b GDPTC |c 20190406

• 905 __ |a GDPTC |d TN304/1